عوامل موثر در تهیه لایه های نازک نیمه هادی P/CdTe به روش تبخیر در خلاء
Authors
Abstract:
لایه های نازک نیمه هادی تلورید کادمیوم به روش تبخیر در خلاء بر روی زیر لایه های نیکل
similar resources
بررسی خواص اپتیکی فیلم نازک ZnS به روش تبخیر در خلاء (PVD)
Thin layers of ZnS in two different temperature conditions of 25 or 2000C and also with different thicknesses from 100nm to 600nm were prepared by physical vapor deposition. Absorption and also transmission spectra of the films were obtained to determine absorption coefficient, extinction constant and optical band gap of the films. It was found that by decreasing the substrate temperature or de...
full textتهیه و ارزیابی خواص نوری لایه نازک نانوکامپوزیت PVA/TiO2 با استفاده از روش الکتروریسی به عنوان نیمه هادی نوع منفی
لایه‌های نازک نانوکامپوزیت PVA/TiO2 در نسبت‌های مختلف از نانوذرات TiO2 (20، 30، 40 و 50) به روش الکتروریسی تهیه شدند.گونه‌شناسی و ساختار نانوکامپوزیت‌ها با استفاده از طیف‌سنج پراش پرتو ایکس و میکروسکوپ الکترونی روبشی مورد بررسی قرار گرفت. نتایج حاصل ساختار آناتاز نانوذرات TiO2 در ماتریس پلیمری PVA و پوشش موفقیت‌آمیز نانوذرات مذکور توسط مولکول‌های پلی‌وینیل الکل را نشان می‌دهد. همچنین فعالیت نور...
full textبررسی خواص اپتیکی فیلم نازک zns به روش تبخیر در خلاء (pvd)
لایه های نازک zns در دو دمای مختلف زیر لایه 25oc و 200oc و در ضخامت های مختلف 100nm-600nm بر روی زیرلایه شیشه به روش تبخیر در خلاء لایه نشانی شدند. طیف جذب و عبور برای تعیین گاف انرژی، ضریب جذب و ثابت خاموشی نمونه ها تهیه گردید. از بررسی این طیف ها مشخص شد که با کاهش دمای زیر لایه گاف اپتیکی نمونه ها کاهش وبا کاهش ضخامت آنها گاف اپتیکی افزایش می یابد. این پدیده می تواند به اثر کوانتمی سایز ذرات...
full textتهیه لایه های نازک سرامیکی به روش sol-gel
در این پژوهش دستیابی به تولید لایه های نازک سرامیکی با تکیه بر یک فناوری ساده موردنظر قرار گرفته و لایه نشانی sio2 به کمک فرایند نوین sol-gel بر روی زیرلایه هایی از جنس شیشه سودا ـ لایم انجام شده است. برای این منظور پس از آماده سازی نمونه ها و تهیه محلول sol ، عملیات لایه نشانی به روش غوطه وری در فواصل زمانی مختلف پس از ساخت محلول بر روی نمونه ها انجام شده و پس از خشک کردن، تحت عملیات پخت قرار ...
full textبررسی یکنواختی لایه نازک SiO2 ، تولید شده با روش تبخیر باریکه الکترون و تبخیر گرمایی
In this paper, SiO2 thin film is produced by two methods: at the first method, SiO2 is evaporated by the electron gun and oxygen gas is injected to compensate for oxygen loss due to dissociation. At the second method, silicon monoxide is evaporated by thermal evaporation and during the evaporation time, substrate is bombarded by the ion oxygen that produced by an ion source. The refraction inde...
full textتهیه و مطالعه ساختاری لایه های نازک cd1-xznxs به روش تبخیر حرارتی در خلأ
در این پایان نامه لایه های نازک cd1-xznxs تهیه گردیده و خواص ساختاری آنها بوسیله آنالیزهای پراش اشعه ایکس و fesemمورد بررسی قرار گرفت. اندازه بلورک ها، نوع ساختار و پارامترهای ساختاری همچون ثابت شبکه و فاصله صفحات از روی طیف اشعه ایکس نمونه ها محاسبه گردیده و مورد مطالعه قرار گرفت. همچنین پارامترهای کیفی لایه همچون تنش و چگالی دررفتگی ها محاسبه شد. تصاویر fesem چگونگی ساختار دانه ها را نشان داد...
15 صفحه اولMy Resources
Journal title
volume 20 issue جلد 22
pages 23- 30
publication date 2000-07-22
By following a journal you will be notified via email when a new issue of this journal is published.
Hosted on Doprax cloud platform doprax.com
copyright © 2015-2023